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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
在某些情況下(很少見，nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多)，一個比特(bit)位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被反轉(zhuǎn)了。位反轉(zhuǎn)的問題 見于nand閃存，nand的供應(yīng)商建議使用nand閃存的時候，同時使用edc/ecc算法。這個問題對于用nand存儲多媒體時倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他時， 使用edc/ecc系統(tǒng)以性。 NCV8402ADDR2G VNH7013XPTR-E SKA-TC237LP-32F200NAC MMPF0100F0ANES TLD2331-3EP SPC560P50L3CEFAR NCV2902DTBR2G S9S12GN32BMLCR SAK-XC2365A-104F80LRAB IS45S32200L-7BLA2 ISO7741QDWRQ1 MC13892DJVL MC80F0808DP FMS6363ACSX R5S72623P144FPU LM5164DDAR SY6288CAAC AK4125VF MAX4390EUK-T MIC49300WR NCP3121MNTXG LMC7215IM5/NOPB APM32F030C8T6
