搜產品
搜企業(yè)
客服電話:13631151688
廣告
25小時在線 158-8973同步7035 可微可電
中芯發(fā)布公告稱，公司就購買用于生產晶圓的阿斯麥產品與阿斯麥集團簽訂購買單，根據(jù)阿斯麥購買單購買的阿斯麥產品定價，阿斯麥購買單的總代價為 1201590 美元。這部分主要為 duv 光刻機。
今日，據(jù)財聯(lián)社，透露，中芯正在努力重新獲得訂單，是其 14nm finfet 工藝訂單。(it之家注：finfet 工藝是指鰭式場效應晶體管工藝，該工藝可大幅電路控制并減少漏電流，還可以大幅晶體管的柵長。)it之家了解到，3 月 10 日，據(jù)選股寶，從供應鏈獲悉，中芯 14nm 制程工藝產品良率已追平臺積電同等工藝，水準達約 90 -95 。目前，中芯各制程產能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
據(jù)中芯介紹，中芯是的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是內地技術，配套完善，規(guī)模大，跨國經營的集成電路制造企業(yè)。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圓廠，一座 200mm 晶圓廠和一座實際控股的 300mm 設備制程晶圓合資廠;在北京建有一座 300mm 晶圓廠和一座控股的 300mm 晶圓廠;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圓廠;在江陰有一座控股的 300mm 合資廠。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設計，v- 目前計劃中的傳輸速率進展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達到16gb容量。 而ddr4運作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術（deep power down），進入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機功耗。 EPF8636ARC208-3 SN74LS373NSR M25P32-VMW6TG MC74HC00ADTR2 W25Q80BWBYIG BC212015BQN-E4 MT47H32M16BN-3:D M5M51008CFP-55H K6R4008C1C-JC15 MC10105L N80C186XL12 TL497ACNS MT46V32M16BN-6:F EPM7032LC44-15 EPM7096LC68-7 EPM7032LC44-7 IDT7201LA50TP M27C1001-15F1 TE28F640J3C120 TD62597AFNG BD6171KV-E2 R1LV0408DSA-7LI IDGKM101 INA201AIDGKR INA156EA ALP514SF ADS8864IDGS ADS7818E ADS7835E ADS8860IDGSR SA575DTBR2G INA337AIDGKR LM2902KVQPWRQ1 LM358DGKR VCA820IDGSR UCC38C42DGK XTR117AIDGKR TAS5709AGPHPR R5F213J5CNNP RTS5821T-GR SA2400ABE SI4838DY-T1-E3