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25小時(shí)在線(xiàn) 158-8973同步7035 可微可電電子元器件ti、at、長(zhǎng)電芯片識(shí)別真假的方法后，本期再迎來(lái)美信芯片的識(shí)別方法，以max485esa+t為例，可以從以下幾點(diǎn)辨別真假：
原裝盒子字體打印清晰，中間手指的指甲線(xiàn)條較細(xì)，非原裝手指圖案中間的線(xiàn)條稍粗；
標(biāo)簽上美信的logo，“m”字下方三角形較立體，并且字母后面小字母標(biāo)注類(lèi)似tta，非原裝logo “m”字下方類(lèi)似三角形，字母后面的小字母類(lèi)似tm；
原裝膠盤(pán)上每個(gè)小孔內(nèi)字體較暗，效果不會(huì)明顯，非原裝較強(qiáng)；
原裝帶子保護(hù)膜呈乳白色，保護(hù)膜與芯片不會(huì)壓的緊，非原裝完呈透明狀態(tài)；
芯片上絲印字體大小均勻清晰，定位孔大小 一致，管腳無(wú)打磨，非原裝打磨可能會(huì)較明顯。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計(jì)，v- 目前計(jì)劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來(lái)不排除直達(dá)4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個(gè)（x4/x8）或8個(gè)（x16/32），這使得采x8設(shè)計(jì)的單一ddr4存儲(chǔ)器模組，容量就可達(dá)到16gb容量。 而ddr4運(yùn)作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進(jìn)入休眠模式時(shí)無(wú)須更新存儲(chǔ)器，或僅直接更新dimm上的單一存儲(chǔ)器顆粒，減少35 ~50 的待機(jī)功耗。 RN5RL30AA-TR SI9183DT-AD-T1 TC2185-2.8VCTTR TCM810LENB713 TCM811SERC TPS79333DBVRG4 ADP3300ART-3 SC8800S4-349G SC8825A SC8825C SIL9011CLU TA31139BFL TLV5590EDR U87C196MC R2A15905FP RTL8306SD-GR SCH5627-NS SN65HVD3080EDGS INA203AIDGSR INA168QDBVRQ1 INA240A1PW USB1T1103MPX OPA2209AIDGKR
