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回收指紋芯片、指紋模組
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隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開(kāi)始采用3d堆疊制程技術(shù)來(lái)增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年?yáng)|芝發(fā)表bics，2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫(xiě)入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開(kāi)始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。 回收maximMOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收infineon電源監(jiān)控IC 回收GENESIS起源微原裝整盤(pán)IC 回收NXP計(jì)算機(jī)芯片回收NXP封裝QFP144芯片回收芯成收音IC 回收ON收音IC 回收f(shuō)sc仙童網(wǎng)口IC芯片回收麗晶微路由器交換器芯片回收飛利浦SOP封裝IC 回收美滿升壓IC 回收Xilinx網(wǎng)卡芯片回收kerostMOS管回收adi升壓IC 回收尚途sunto封裝QFP144芯片回收瑞昱計(jì)算機(jī)芯片回收adiMCU電源IC 回收atheros隔離恒溫電源IC 回收arvin觸摸傳感器芯片回收TOSHIBAADAS處理器芯片回收億盟微集成電路芯片回收RENESAS微控制器芯片回收VISHAY電源管理IC 回收INTERSIL電源監(jiān)控IC 回收MARVELL收音IC 回收松下傳感器芯片
