25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電電阻是應(yīng)用于各種電子設(shè)備的多的電阻類型，無論怎樣安裝，維修者都能方便的讀出其阻值，便于檢測(cè)和更換。但在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，有些電阻的排列順序不甚分明，往往容易讀錯(cuò)，在識(shí)別時(shí)，可運(yùn)用如下技巧加以判斷：
技巧1：先找標(biāo)志誤差的，從而排定順序。常用的說電阻誤差的顏色是：金、銀、棕，尤其是金環(huán)和銀環(huán)，一般絕少用做電阻的環(huán)，所以在電阻上只要有金環(huán)和銀環(huán)，就可以基本認(rèn)定這是電阻的末一環(huán)。
技巧2：棕是否是誤差標(biāo)志的判別。棕既常用做誤差環(huán)，又常作為  數(shù)字環(huán)，且常常在環(huán)和末一環(huán)中同時(shí)出現(xiàn)，使人很難識(shí)別誰是環(huán)。在實(shí)踐中，可以按照之間的間隔加以判別：比如對(duì)于一個(gè)五道的電阻而言，  五環(huán)和  四環(huán)之間的間隔比環(huán)和環(huán)之間的間隔要寬一些，據(jù)此可判定的排列順序。
技巧3：在僅靠間距還無法判定順序的情況下，還可以利用電阻的生產(chǎn)序列值來加以判別。比如有一個(gè)電阻的讀序是：棕、黑、黑、黃、棕，其值為：100×10000=1MΩ誤差為1  ，屬于正常的電阻系列值，若是反順序讀：棕、黃、黑、黑、棕，其值為140×1Ω=140Ω，誤差為1  。顯然按照后一種排序所讀出的電阻值，在電阻的生產(chǎn)系列中是沒有的，故后一種順序是不對(duì)的。
 flash存儲(chǔ)器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是flash的存儲(chǔ)容量都普遍的大于eeprom，在存儲(chǔ)控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個(gè)字節(jié)擦除。  sram是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設(shè)來拓展sram。  注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 TAS3004PFBR TL5002CDR TPS74801DRCR TPS74801TDRCRQ1 ISL6443IRZ-TK MAX8510EXK28+T MOT3054 SI3010-F-FS DP83901AV DS14C238WM DS14C238WMX ADM202EARNZ-REEL7 AM26C32CNS NC7SZ08M5X NC7SZ126M5X NC7SP57P6X NC7WZ17P6X CLVC1G374QDCKRQ1 TL594CD TXS0101DCKR TIR1000PWR AT24C256W ASM1543 TPS715A33DRVR TLV7113030DDSER MP9495DJ-LF-Z