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這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個電流檢測電路測量正反電流，有助于設(shè)計人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進(jìn)一步提高了應(yīng)用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護(hù)功能，器件抗擾能力強，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設(shè)計人員快速啟動使用一款器件的開發(fā)項目， 產(chǎn)品上市時間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預(yù)計2014年q3完工，q3順利進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當(dāng)耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設(shè)備與儲存市場上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。 回收瑞薩聲卡芯片回收PANASONICMCU電源IC 回收愛特梅爾芯片回收idtADAS處理器芯片回收NIKO-SEM尼克森DOP封裝芯片回收toshiba手機存儲芯片回收NXP電源監(jiān)控IC 回收kingbri隔離恒溫電源IC 回收東芝微控制器芯片回收PANASONIC路由器交換器芯片回收中芯SOP封裝IC 回收艾瓦特路由器交換器芯片回收atheros全新整盤芯片回收矽力杰電源監(jiān)控IC 回收IRSOP封裝IC 回收iwatte/dialog邏輯IC 回收NIKO-SEM尼克森aurix芯片回收MARVELLDOP封裝芯片回收ELITECHIP降壓恒溫芯片回收maxim/美信封裝QFP芯片回收ELITECHIP微控制器芯片回收SAMSUNG隔離恒溫電源IC 回收NS藍(lán)牙IC 回收PANASONIC穩(wěn)壓管理IC 回收HOLTEK合泰邏輯IC 回收GENESIS起源微開關(guān)電源IC 回收RENESAS進(jìn)口IC 回收arvinSOP封裝IC 回收ST意法WIFI芯片回收矽力杰車充降壓IC 回收GENESIS起源微SOP封裝IC 回收iwatte/dialogWIFI芯片回收PANASONIC封裝sot23-5封裝芯片