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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電相信大家都知道，在芯片產(chǎn)業(yè)鏈共分為idm、foundry、fabless三種模式，其中fabless則指芯片設(shè)計(jì)廠商，只設(shè)計(jì)芯片不生產(chǎn)制造芯片產(chǎn)品，如華為、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果等，而foundry則指芯片代工廠商，只具備芯片生產(chǎn)制造能力，并不具備芯片設(shè)計(jì)能力，如臺(tái)積電、中芯、華虹半導(dǎo)體等等，而實(shí)力強(qiáng)的則是idm芯片模式，具備了芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封測(cè)等 能力，從設(shè)計(jì)到后生產(chǎn)制造部都能夠自己搞定，比如intel、三星等，或許也是因?yàn)檎麄€(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)門檻較高，所以國(guó)內(nèi)芯片廠商 的都只是fabless廠商，而idm芯片廠商則更少。
而就在段時(shí)間，國(guó)內(nèi)手機(jī)odm聞泰科技直接并購了安世半導(dǎo)體，安世半導(dǎo)體作為汽車領(lǐng)域的idm芯片，也是功率半導(dǎo)體企業(yè)，這也意味著聞泰科技是國(guó)內(nèi)甚至是強(qiáng)的idm芯片，自己可以搞定芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封測(cè)等 能力。
在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲(chǔ)器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲(chǔ)器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢(shì)待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲(chǔ)器，屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn) 為劇烈的變動(dòng)。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的nand flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，隨著flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。 STM32F756VGT6 STM32F765IIT6 STM32F765NIH7 STM32F778AIY6TR STM32L011D4P6 STM32L011E4Y6TR STM32L011F3P6TR STM32L011G4U6 STM32L011K4U6 STM32L031F6P6TR STM32L052C8T7 STM32L0538-DISCO STM32L073VBT6 STM32L100C6U6 STM32L100R8T6 STM32L100RCT6 STM32L151C6T6TR LM393PT LMV822IDT MC33078DT LF253DT LMV358IDT LM2903PT
