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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電
這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個(gè)電流檢測電路測量正反電流，有助于設(shè)計(jì)人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號(hào)的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進(jìn)一步提高了應(yīng)用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項(xiàng)參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護(hù)功能，器件抗擾能力強(qiáng)，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)使用一款器件的開發(fā)項(xiàng)目， 產(chǎn)品上市時(shí)間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計(jì)，v- 目前計(jì)劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達(dá)4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個(gè)（x4/x8）或8個(gè)（x16/32），這使得采x8設(shè)計(jì)的單一ddr4存儲(chǔ)器模組，容量就可達(dá)到16gb容量。 而ddr4運(yùn)作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進(jìn)入休眠模式時(shí)無須更新存儲(chǔ)器，或僅直接更新dimm上的單一存儲(chǔ)器顆粒，減少35 ~50 的待機(jī)功耗。 STB14NK60ZT4 STFW4N150 L7815CD2T-TR STD3NK50ZT4 STP6N95K5 STN3NF06L STD5N20LT4 VND7NV04TR-E VNP35N07-E STD3N62K3 STW38N65M5 STB23N80K5 STB4NK60ZT4 STF13N60M2 VNB10N07-E VND5N07TR-E VNP35N07-E VNP5N07-E VND7NV04TR-E STD3N62K3 VND7N04TR-E VNP20N07-E
