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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電電感在電路中常用“L”加數(shù)字說，如：L3說編號為3的電感。電路板上的電感器
電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。
直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很小；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。
電感一般有直標法和色標法，色標法與電阻類似。如：棕、黑、金、金說1uH（誤差5 ）的電感。
電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH。
flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，flash的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。現(xiàn)在的單片機,ram主要是做運行時數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計算機的內(nèi)存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：回收MICRON/美光隔離恒溫電源IC 回收瑞薩封裝QFN進口芯片回收LINEAR原裝整盤IC 回收瑞昱進口芯片回收HOLTEK合泰車充降壓IC 回收maxim/美信微控制器芯片回收艾瓦特降壓恒溫芯片回收NS驅(qū)動IC 回收韋克威網(wǎng)口IC芯片回收TAIYO/太誘MOS管場效應管回收東芝音頻IC 回收飛思卡爾車充降壓IC 回收ST意法MOS管回收WINBOND華邦升壓IC 回收VISHAY驅(qū)動IC 回收億盟微aurix芯片回收TAIYO/太誘手機存儲芯片回收LINEAR計算機芯片回收矽力杰封裝SOP20芯片回收麗晶微穩(wěn)壓器IC 回收idt隔離恒溫電源IC 回收鑫華微創(chuàng)穩(wěn)壓管理IC 回收威世微控制器芯片回收瑞薩觸摸傳感器芯片回收羅姆MOS管場效應管回收ROHM計算機芯片回收ROHM收音IC 回收韋克威原裝整盤IC 回收iwatte/dialog穩(wěn)壓器IC