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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 6:電容的識(shí)別(1)、貼片電容有:貼片鉭電容、貼片瓷片容、 紙多層貼片電容、貼片電解電容。貼片瓷片電容:體積小，無(wú) 性，無(wú)絲印。基本單位pf紙多層貼片電容:與貼片瓷片電容基本相同，材質(zhì)紙質(zhì)。基本單位 為pf,但此電容容量一般在uf級(jí)。
貼片電解電容:絲印印有容量、耐壓和 性標(biāo)示。其基本單位為f。
7:電感元件的識(shí)別常見(jiàn)貼片元件尺寸規(guī)范介紹
在貼片元件的尺寸上為了讓所有廠家生產(chǎn)的元件之間有 的通用性，上各大廠家進(jìn)行了尺寸要求的規(guī)范工作，形成了相應(yīng)的尺寸系列。其中在不同采用不同的單位基準(zhǔn)主要有公制和英制，對(duì)應(yīng)關(guān)系如下表:
注:1)此處的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中還有其它尺寸規(guī)格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在實(shí)際使用中使用范圍并不廣泛所以不做介紹。
3)對(duì)于實(shí)際應(yīng)用中各種對(duì)尺寸的稱(chēng)呼有所不同，一般情況下使用英制單位稱(chēng)呼為多，例如一般我們?cè)诠ぷ髦袝?huì)說(shuō)用的是0603的電容，也有時(shí)使用公制單位例如說(shuō)用1608的電容此時(shí)使用的就是公制單位 。
5micron自家市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲(chǔ)器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。 nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預(yù)估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。 C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6
