25小時在線 158-8973同步7035 可微可電 ATMEGA32A-AU
W25Q64JVSIQ
NUC029LAN
STM32F401RCT6
TPS54202DDCR
STM32F030RCT6
ATMEGA16A-AU
ATMEGA128A-AU
TPS3116D2DADR
另一種稱為動態(tài)ram（dynamic ram/dram），dram保留數據的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比的rom都要快，但從價格上來說dram相比sram要便宜很多，計算機內存就是dram的。
dram
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這里介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內存，而且它有著成本勢，事實上擊敗了intel的另外一種內存標準－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。  回收maxim微控制器芯片回收韋克威進口新年份芯片回收GENESIS起源微封裝QFN進口芯片回收Marvell發(fā)動機管理芯片回收安森美聲卡芯片回收ROHM手機存儲芯片回收松下手機存儲芯片回收kingbri收音IC 回收adi集成電路芯片回收ONMOS管場效應管回收東芝路由器交換器芯片回收SGMICRO圣邦微集成電路芯片回收PARADE譜瑞芯片回收亞德諾路由器交換器芯片回收RENESAS升壓IC 回收中芯降壓恒溫芯片回收beiling汽車電腦板芯片回收beiling穩(wěn)壓器IC 回收飛利浦DOP封裝芯片回收NXP穩(wěn)壓器IC 回收松下MOS管回收TAIYO/太誘降壓恒溫芯片回收kingbri聲卡芯片