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采用flash介質時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅動還用于對diskonchip產品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
回收工廠庫存電子5sgxma3e2h29i2l收購庫存電子料xc6slx45-2csg324c 回收電子料xc7a200t 回收stm32f100c8t6bic回收收購電子回收工廠庫存電子料5sgxma3e3h29i4n收購庫存電子元件xc6slx45-2csg324i 回收電子器件xc7a25t SSM6K513NU TB6643KQ(O,8) TB67B001FTG(O,EL) TB67H450FNG IR2101STRPBF IGW60T120 IKW20N60T IKW25N120T2 IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7 IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G LM317LDR2G MMBZ5231BLT1G MAX708ESA-TG FAN6300AMY FAN73711MX FAN7631SJX FSL116LR FSL136MR GD32F103VET6 GD32F103RCT6 GD32F103C8T6