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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電經營范圍為集成電路的設計、研發(fā)，軟件的研發(fā)、制作，銷售自產產品，并提供相關服務，上述同類產品的批發(fā)代理（拍賣除外）。
燦芯半導體介紹稱，該公司是一家定制化芯片（asic）設計方案提供商及ip供應商，定位于55nm/40nm/28nm/14nm以下的系統(tǒng)級芯片（soc）設計服務與一站式交鑰匙（turn-key）服務。燦芯半導體為客戶提供從rtl設計到芯片成品的一站式服務，并致力于為客戶的復雜asic設計提供一個低成本、低風險的整體解決方案。
2010年，燦芯半導體于和中芯集成電路制造有限公司結盟成，基于中芯工藝研發(fā)了公司自主品牌的“you”系列ip和硅平臺解決方案，經過完整的流片測試驗證，可廣泛應用于消費類電子、物聯網、可穿戴設備、通訊、計算機及工業(yè)、市政領域。
2020年8月，燦芯半導體完成3.5億d輪，由海通旗下和臨芯投資領投，元禾璞華投資基金、小米產業(yè)基金、火山石資本、泰達投資、金浦投資及多家原股東跟投。本輪資金將用于進一步推動公司在中芯工藝上的asic一站式設計方案及soc平臺技術和產品的研發(fā)。
“燦芯半導體是中芯參與投資的芯片，長期以來雙方一直合作，提供靈活的芯片解決方案和服務，滿足了客戶需求，完成了眾多合作項目，” 中芯聯合 執(zhí)行官兼燦芯半導體董事長趙博士說，“今后雙方將繼續(xù)攜手合作，努力。此次成功，再次證明了燦芯的成長潛力，我對燦芯的未來發(fā)展充滿信心。”
“此次成功，公司不僅獲得了持續(xù)研發(fā)的資金，更重要的是再次證明了資本市場對于燦芯半導體長期穩(wěn)健發(fā)展的和信心，”燦芯半導體總裁說，“未來公司將進一步加大研度和投入，以滿足對中芯工藝上的設計需求
東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術，從2014年季起開始小量試產，目標在2015年前順利銜接現有1y、1z 技術的flash產品。為了后續(xù)3d nand flash的量產鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產為主，對整個移動設備與儲存市場上的替代效應，在明年底以前應該還看不到。 CY7C1650KV18-450BZC CY7C1415KV18-300BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1520V18-200BZC TLC6C598QPWRQ1 VND7140AJTR AUIRS2191STR L9347LF-TR VNH7013XPTR-E TLE9180D-31QK TLD2331-3EP A4916KJPTR-T S9KEAZN16AMLC MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AEP MC13892DJVL SPC560P44L3CEFAR SPC5743PK1AMLQ5R SPC560P50L3CEFAR IS45S32200L-7BLA2 VNN7NV04PTR-E VN5E025AJTR-E NCV2902DTBR2G