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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 TPS51200DRCR
STM32F030K6T6
STM32F407VGT6
STM32F103ZET6
MS51FB9AE
GD32F103CBT6
LPC1768FBD100
STM32F405RGT6
STM32F105RBT6
ATMEGA328P-AU
LIS2DH12TR
GD32F103RBT6
GD32F103RET6回購工廠庫存電子料,3gs模塊,蘋果手機(jī)各種大小原廠配件,數(shù)碼芯片,東芝flash芯片,群創(chuàng)液晶屏,現(xiàn)代emmc,電子ic芯片,現(xiàn)代字庫h9da4gh4jjam,tkd鉭電容,各種tf卡,華邦系列flash等等。
回購k9k場(chǎng)效應(yīng)管,海力士?jī)?nèi)存,廠家?guī)齑娲袅?霍爾元件,各種電子元器件,電感系列,通信ic產(chǎn)品類ic,工廠庫存電子元件,現(xiàn)代4g內(nèi)存芯片,海力士flash芯片,電源ic,音效ic等等。 隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時(shí)已降為3，000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。 NCP1587DR2G MP1412DH-LF-Z MP2249DQT-LF-Z OPA376AIDBVR OPA2333AIDGKR OPA2378AIDCNR LT1783IS6#TRPBF LM258DR LMV722IDGKR LM258PT LM358DR2G STM809RWX6F SY8089AAAC TPS63700DRCR TPS76050DBVR TPS54610PWPR TPS40210DGQR TPS3839G33DBZR TPS7A3901DSCR W25X05CLNIG WCN-3660-0-79BWLNSP-TR-02-0 TPS51125ARGER G966A-25ADJF11U GD25Q80BSIG
