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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器(此處簡稱閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同,閃存的特點(diǎn)是nvm,其記錄速度也非常快。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年,公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小,并被內(nèi)嵌于一個錄音機(jī)里,intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù),并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制,并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ,它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半,在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn),它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu),存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行(一頁包含若干字節(jié),若干頁則組成儲存塊, nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ),這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大,超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍, nand 閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢,它的 i/o 端口只有 8 個,比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu),內(nèi)部不存在專門的存儲控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,性較 nor 閃存要差。
驍龍870的gpu是 adreno650。驍龍888的gpu是 adreno660,對比650有35 的性能提升。四、基帶結(jié)構(gòu)驍龍870的基帶結(jié)構(gòu)是驍龍x55,采用的是5g基帶。驍龍888的基帶機(jī)構(gòu)是驍龍x60,采用的是集成5g基帶,就結(jié)構(gòu)體系來看,驍龍888會更于驍龍870。 OPA4197IPWR TPS23861PWR TLC59116IRHBR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR