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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器(此處簡(jiǎn)稱閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同,閃存的特點(diǎn)是nvm,其記錄速度也非???。
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年,公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小,并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里,intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù),并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制,并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ,它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。nand的存儲(chǔ)單元只有nor的一半,在更小的存儲(chǔ)空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn),它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲(chǔ)卡上。
nand 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu),存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁(yè)和塊為單位來(lái)進(jìn)行(一頁(yè)包含若干字節(jié),若干頁(yè)則組成儲(chǔ)存塊, nand 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32kb ),這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大,超過(guò) 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍, nand 閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢,它的 i/o 端口只有 8 個(gè),比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu),內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無(wú)法修,性較 nor 閃存要差。
單片機(jī)與單板機(jī)的聯(lián)系是:?jiǎn)纹瑱C(jī)加上i/o設(shè)備,例如鍵盤和顯示器,就成為單板機(jī)。單板機(jī)與單片機(jī)的區(qū)別在于:?jiǎn)伟鍣C(jī)是完整的微型計(jì)算機(jī);而單片機(jī)只有微型計(jì)算機(jī)的主機(jī),沒(méi)有輸入輸出(i/o)設(shè)備。其次,單板機(jī)的是微處理器;單片機(jī)的是微控制器?,F(xiàn)在單片機(jī)成了微控制器的代稱。單片機(jī)的研制發(fā)展和51系列單片機(jī)STB14NK60ZT4 STFW4N150 L7815CD2T-TR STD3NK50ZT4 STP6N95K5 STN3NF06L STD5N20LT4 VND7NV04TR-E VNP35N07-E STD3N62K3 STW38N65M5 STB23N80K5 STB4NK60ZT4 STF13N60M2 VNB10N07-E VND5N07TR-E VNP35N07-E VNP5N07-E VND7NV04TR-E STD3N62K3 VND7N04TR-E VNP20N07-E