25小時在線 158-8973同步7035 可微可電回收pixelplus派視爾芯片、回收sunplus凌陽芯片、回收nextchip芯片、回收soinc晶相芯片、回收richtek立锜芯片、回收simcon芯訊通芯片、回收jorjin佐臻芯片、回收generalplus凌通芯片、回收dialog戴樂格芯片、回收nordic芯片、回收nxp恩智浦芯片、回收bosch博世芯片、回收st意法芯片、回收infineon英飛凌芯片、回收jrc芯片、回收sony索尼芯片、回收toshiba東芝芯片等隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。  TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G38DCKR TPS3831G18DQNR TPS70930DBVR TPS65145PWPR TPS630702RNMR TPS62822DLCT TPS54428DDAR TPS259573DSGT TLV76733DRVR TLV75733PDBVR TLV431BQDBVT TL431IPK LMR14030SQDPRTQ1 TPS62136RGXT TPS2051BDR TL431ACDBVR LMR14030SQDPRRQ1 BQ25100YFPR TPS2069CDBVR TLV62084DSGR TL432BQDBZR LMV431AIM5X/NOPB SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G07DCKR SN74LVC1G08DBVR SN74LVC2G14DCKR SN74LVC2G04DCKR SN74AVC4T245RSVR SN74AUP2G07DCKR SN74AHC1G09DCKR SN74LVC1G125DCKR SN74AXC2T245RSWR SN74AUP2G08DCUR SN74AHC1G32DCKR SN74AHC1G08QDBVRQ1 SN74AHC1G00DCKR TXB0102DCUT SN74LVC1G08DBVR SN74LVC1G06DRYR SN74AXC8T245QPWRQ1 TXS0102DQMR SN74LVC2G34DCKR LM2904QDRQ1 LMV358IDGKR TL082CD TLV2372IDGKR LMP8645HVMK/NOPB TS3A226AEYFFR TLV6002IDR TLV6001QDCKRQ1 TLV342SIRUGR LM321LVIDBVR OPA2376QDGKRQ1