25小時在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團與意法半導體就碳化硅(sic)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議
半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡稱“st”），雙方就碳化硅（以下簡稱“sic”）晶圓由羅姆集團旗下的sicrystal gmbh （以下簡稱“sicrystal”）供應事宜達成長期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由sicrystal（sic晶圓生產量歐洲）向st（面向眾多電子設備提供半導體的性半導體制造商）供應的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實現(xiàn)50w快充，體積小巧便攜。
臺積電將與意法半導體合作，加速gan制程技術開發(fā)
臺積電與意法半導體合作加速市場采用氮化產品。意法半導體預計今年晚些時候將交給客戶。臺積電與意法半導體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導入市場。透過此合作，意法半導體將采用臺積公司的氮化制程技術來生產其氮化產品。
英飛凌新增650v產品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴展其方位的碳化硅（sic）產品組合，新增650v產品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應用對于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務器、電信和工業(yè)smps、太陽能系統(tǒng)、能源儲存和化成電池、ups、馬達驅動以及電動車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉換部門協(xié)理steffen metzger說，推出這項產品后，英飛凌在600v/650v電源領域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導體產品組合。
ddr4以前瞻性的高傳輸速率、v- 低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導入英特爾工作站／伺服器以及桌上型電腦平臺，并與lp-ddr3存儲器將同時存在一段時間；至于nand flash快閃存儲器也跨入1x 制程，mlc將以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹寫次數(shù)（program erase；p/e）來搶占要求耐受度的軍方與工控市場，而c/p值高的tlc從隨碟、記憶卡的應用導向低端ssd…   ddr4伺服器先行 2016ddr3成為主流TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G38DCKR TPS3831G18DQNR TPS70930DBVR TPS65145PWPR TPS630702RNMR TPS62822DLCT TPS54428DDAR TPS259573DSGT TLV76733DRVR TLV75733PDBVR TLV431BQDBVT TL431IPK LMR14030SQDPRTQ1 TPS62136RGXT TPS2051BDR TL431ACDBVR LMR14030SQDPRRQ1 BQ25100YFPR TPS2069CDBVR TLV62084DSGR TL432BQDBZR LMV431AIM5X/NOPB SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G07DCKR SN74LVC1G08DBVR SN74LVC2G14DCKR SN74LVC2G04DCKR SN74AVC4T245RSVR SN74AUP2G07DCKR SN74AHC1G09DCKR SN74LVC1G125DCKR SN74AXC2T245RSWR SN74AUP2G08DCUR SN74AHC1G32DCKR SN74AHC1G08QDBVRQ1 SN74AHC1G00DCKR TXB0102DCUT SN74LVC1G08DBVR SN74LVC1G06DRYR SN74AXC8T245QPWRQ1 TXS0102DQMR SN74LVC2G34DCKR LM2904QDRQ1 LMV358IDGKR TL082CD TLV2372IDGKR LMP8645HVMK/NOPB TS3A226AEYFFR TLV6002IDR TLV6001QDCKRQ1 TLV342SIRUGR LM321LVIDBVR OPA2376QDGKRQ1