25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。
當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就 采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(edc/ecc)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題 見于nand閃存,nand的供應(yīng)商建議使用nand閃存的時(shí)候,同時(shí)使用edc/ecc算法。
這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用nand存儲(chǔ)多媒體時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他時(shí), 使用edc/ecc系統(tǒng)以性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,不劃算。
nand器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過(guò)的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。
軟件支持
當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高的用于磁盤和閃存管理算法的軟件,包括性能化。
在nor器件上運(yùn)行代碼不需要的軟件支持,在nand器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(mtd),nand和nor器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要mtd。
使用nor器件時(shí)所需要的mtd要相對(duì)少一些,許多廠商都提供用于nor器件的更軟件,這其中包括m-system的trueffs驅(qū)動(dòng),該驅(qū)動(dòng)被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所采用。
在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲(chǔ)器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲(chǔ)器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢(shì)待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲(chǔ)器，屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn) 為劇烈的變動(dòng)。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮閘式（floating gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的nand flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，隨著flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。  OPA4197IPWR TPS23861PWR TLC59116IRHBR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR