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it之家獲悉，小米盧偉冰此前也說，目前智能手機的芯片是 度短缺的。高通即將上任的 ceo cristiano amon 說，目前芯片供大于求的狀況原因之一的美國對華為的，導致手機廠商不得不選擇高通等公司的芯片。
除了手機 soc 這種高附加值芯片，目前電阻、電容、二 管等基礎元器件也面臨著不同程度的漲價，進一步提高了廠商的壓力。
在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結構將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導體電路所設計的nand flash非揮發(fā)性存儲器，隨著flash制程技術不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機、嵌入式裝置與工控應用上大量普及。 AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR