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it之家獲悉，小米盧偉冰此前也說，目前智能手機的芯片是 度短缺的。高通即將上任的 ceo cristiano amon 說，目前芯片供大于求的狀況原因之一的美國對華為的，導致手機廠商不得不選擇高通等公司的芯片。
除了手機 soc 這種高附加值芯片，目前電阻、電容、二 管等基礎元器件也面臨著不同程度的漲價，進一步提高了廠商的壓力。
在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結構將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導體電路所設計的nand flash非揮發(fā)性存儲器，隨著flash制程技術不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經在智慧手機、嵌入式裝置與工控應用上大量普及。 TLP7820(TP4,E(O TC4424AVPA FP75R12KT3 AD5228BUJZ10-RL7 AD5259BRMZ10-R7 AD5162BRMZ10 AD7691BRMZ ADS7822E/2K5 ADG704BRMZ ADE7953ACPZ ADG884BRMZ SY7301AADC SY8009BABC OB2225NCPA OB3330XCPA OB3636AMP SY8201ABC SY8113IADC SY6301DSC SGM2019-ADJYN5G/TR SGM4917AYTQ16G/TR SY8089A1AAC SY7208CABC SY7072AABC SGM9114YN6G/TR SGM9113YC5G