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這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個電流檢測電路測量正反電流，有助于設(shè)計人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進一步提高了應(yīng)用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護功能，器件抗擾能力強，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設(shè)計人員快速啟動使用一款器件的開發(fā)項目， 產(chǎn)品上市時間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
ddr4以前瞻性的高傳輸速率、v- 低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導(dǎo)入英特爾工作站／伺服器以及桌上型電腦平臺，并與lp-ddr3存儲器將同時存在一段時間；至于nand flash快閃存儲器也跨入1x 制程，mlc將以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹寫次數(shù)（program erase；p/e）來搶占要求耐受度的軍方與工控市場，而c/p值高的tlc從隨碟、記憶卡的應(yīng)用導(dǎo)向低端ssd… ddr4伺服器先行 2016ddr3成為主流EPF8636ARC208-3 SN74LS373NSR M25P32-VMW6TG MC74HC00ADTR2 W25Q80BWBYIG BC212015BQN-E4 MT47H32M16BN-3:D M5M51008CFP-55H K6R4008C1C-JC15 MC10105L N80C186XL12 TL497ACNS MT46V32M16BN-6:F EPM7032LC44-15 EPM7096LC68-7 EPM7032LC44-7 IDT7201LA50TP M27C1001-15F1 TE28F640J3C120 TD62597AFNG BD6171KV-E2 R1LV0408DSA-7LI IDGKM101 INA201AIDGKR INA156EA ALP514SF ADS8864IDGS ADS7818E ADS7835E ADS8860IDGSR SA575DTBR2G INA337AIDGKR LM2902KVQPWRQ1 LM358DGKR VCA820IDGSR UCC38C42DGK XTR117AIDGKR TAS5709AGPHPR R5F213J5CNNP RTS5821T-GR SA2400ABE SI4838DY-T1-E3