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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
rom也有很多種，prom是可編程的rom，prom和eprom（可擦除可編程rom）兩者區(qū)別是，prom是也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種eeprom是通過電子擦出，價格，寫入時間很長，寫入很慢。手機(jī)軟件一般放在eeprom中，我們打電話，有些后撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（保存在eeprom中），因為當(dāng)時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。 flash存儲器又稱閃存，它結(jié)合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可編程（eeprom）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)（nvram的勢） rom（eprom）作為它們的存儲設(shè)備，然而近年來 flash代替了rom（eprom）在嵌入式系統(tǒng)中的，用作存儲bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（u盤）。目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。 3、flashTLP7820(TP4,E(O TC4424AVPA FP75R12KT3 AD5228BUJZ10-RL7 AD5259BRMZ10-R7 AD5162BRMZ10 AD7691BRMZ ADS7822E/2K5 ADG704BRMZ ADE7953ACPZ ADG884BRMZ SY7301AADC SY8009BABC OB2225NCPA OB3330XCPA OB3636AMP SY8201ABC SY8113IADC SY6301DSC SGM2019-ADJYN5G/TR SGM4917AYTQ16G/TR SY8089A1AAC SY7208CABC SY7072AABC SGM9114YN6G/TR SGM9113YC5G