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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計(jì)，v- 目前計(jì)劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達(dá)4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個(gè)（x4/x8）或8個(gè)（x16/32），這使得采x8設(shè)計(jì)的單一ddr4存儲(chǔ)器模組，容量就可達(dá)到16gb容量。 而ddr4運(yùn)作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進(jìn)入休眠模式時(shí)無須更新存儲(chǔ)器，或僅直接更新dimm上的單一存儲(chǔ)器顆粒，減少35 ~50 的待機(jī)功耗。 NT5TU32M16CG-3C MP2360DG-LF-Z MT48LC16M16A2BG-75IT:D 24LC512T-I/SN XTR115U/2K5 AD8647ARMZ-REEL AD8422ARZ-R7 RT8289GSP TPS23751PWPR ISO1H801G PI5PD2069WEX MAX708TCSA LT1959CR DS1818R-10 RT9108NB ALC888S AOZ8902CIL TL431ACLPR RT9266GE SGM2019-3.3YN5G/T SGM2019-1.8YN5G MC34063A SY8088AA AMS1085CM-3.3
