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其實手機作為一種電子產(chǎn)品，在有手機零配件進行更換的前提下，都是有可能進行 的。所以，當(dāng)某一款手機，在市面上已經(jīng)找不到對應(yīng)的零配件進行維修，這個時候，才是這款手機 壽命結(jié)束。這些壽命結(jié)束的手機，將會進行拆解，成對應(yīng)的零配件和材料。進行回收加工。臺州報廢芯片回收
利用的，比如說手機的主板、液晶顯示屏、閃存、電池、聽筒、話筒、喇叭、振動組件、麥克風(fēng)、揚聲器等一切所有可以元件，整體拆分完，都可以帶來20-30元的微薄利潤”。其中手機里面的主板、芯片是錢的，這些東西幾乎就是你買手機時一半的價格，可想而知他們的利潤是相當(dāng)高的。項目：舊手機回費，種說手機消費者！三、回收對于這個途徑，其實
我曾經(jīng)在網(wǎng)上看到蘋果自己的手機拆解機器人，可以快速的把手機上的零件進行拆解，回收有價值的零件和材料。對比起來，我們的回收僅僅是芯片回收和電路板溶解這樣的簡單粗暴。我也希望我們也能機進行科學(xué)的拆解回收，實現(xiàn) 意思上的回收利用。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。 L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT