25小時(shí)在線(xiàn) 158-8973同步7035 可微可電元件:工廠在加工時(shí)沒(méi)改變?cè)牧戏肿映煞值漠a(chǎn)品可稱(chēng)為元件，元件屬于不需電子元器件要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱(chēng)為被動(dòng) 元件passive components) 電子的單向作用場(chǎng)性質(zhì)在物理的范圍內(nèi)失效，因?yàn)槲锢淼狞c(diǎn)電荷概念包含了成千上萬(wàn)的電子（負(fù)電）或質(zhì)子（正電）。在物理中點(diǎn)電荷的電場(chǎng)是大量電子或離子的總體效應(yīng)，是滿(mǎn)足矢量疊加的矢量場(chǎng)。 4性質(zhì)特征編輯電子塊頭小重量輕（比μ介子還輕205倍)，被歸在亞原子粒子中的輕子類(lèi)。輕子是物質(zhì)被劃分的作為基本粒子的一類(lèi)。電子帶有二分之一自旋，滿(mǎn)足費(fèi)米子的條件（按照費(fèi)米-狄拉克統(tǒng)計(jì)）。電子所帶電荷約為-1.6×10-19庫(kù)侖，質(zhì)量為9.10×10-31kg（0.51mev/c2）。通常被說(shuō)為e-。與電子電性相反的粒子被稱(chēng)為正電子，它帶有與電子相同的質(zhì)量，自旋和等量的正電荷。電子在原子內(nèi)做繞核運(yùn)動(dòng)， 越大距核運(yùn)動(dòng)的軌跡越遠(yuǎn)，有電子運(yùn)動(dòng)的空間叫電子層，層多可有2個(gè)電子。層多可以有8個(gè)， n層多可容納2n2個(gè)電子，外層多容納8個(gè)電子。后一層的電子數(shù)量決定物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)是否活潑，1、2、3電子為金屬元素，4、5、6、7為非金屬元素，8為稀有氣體元素。物質(zhì)的電子可以失去也可以得到，物質(zhì)具有得電子的性質(zhì)叫做氧化性，該物質(zhì)為氧化劑；物質(zhì)具有失電子的性質(zhì)叫做還原性，該物質(zhì)為還原劑。物質(zhì)氧化性或還原性的強(qiáng)弱由得失電子難易決定，與得失電子多少無(wú)關(guān)。  處理器（cpu）、繪圖芯片（gpu）運(yùn)算效能隨摩爾定律而飛快進(jìn)展，加上云端運(yùn)算、網(wǎng)際網(wǎng)路行動(dòng)化浪潮下，持續(xù)驅(qū)動(dòng)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（dynamic ram；dram）的規(guī)格進(jìn)化。從非同步的dip、edo dram，到邁向同步時(shí)脈操作的sdram開(kāi)始，以及訊號(hào)上下緣觸發(fā)的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存儲(chǔ)器，甚至導(dǎo)入20 與新型態(tài)的wide i/o介面以降低訊號(hào)腳位數(shù)與整體功耗。  處理器速度與云端運(yùn)算持續(xù)驅(qū)動(dòng)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器規(guī)格的演變，從dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel LM2904VQDRQ1 TLV4314QPWRQ1 TL343IDBVR LM393DGKR TPS51916RUKT TPS2543RTER TPS62130AQRGTRQ1 TPS61096ADSSR TPD4S010DQAR LM337LM/NOPB SN74LVC1T45QDCKRQ1 TXS0102YZPR TPS54225PWP INA193AMDBVREP TPS259270DRCR SN65HVD1050DR TPS259530DSGR TL343IDBVT AM26LV32IDR ISO7321CDR SN74LVC1T45DRLR ISO7221BDR CSD18532Q5B TS3USB221ERSER