25小時在線 158-8973同步7035 可微可電蘋果公司周一稱，今年晚些時候將推出采用自研芯片的mac電腦。此舉將結束蘋果與英特爾公司(inte .,intc)長達15年的技術合作關系。蘋果公司說，該公司定制的芯片效率更高，圖形處理性能也更高。蘋果公司2010年發(fā)布了該公司的款iphone處理器。這一計劃符合蘋果公司用自己設計的零部件替換許多 三方零部件的整體戰(zhàn)略。據(jù) 科技行業(yè)分析師waynelam估計，目前iphones的零部件中約42 由蘋果自己生產(chǎn)，而不到五年前，這一比例僅為8 。隨著蘋果公司未來開發(fā)出調(diào)制解調(diào)器芯片和傳感器，預計該比例會進一步上升。自研零部件降低了蘋果公司的成本，并提升了該公司產(chǎn)品的性能，還增強了其對未來新產(chǎn)品的掌控。分析師估計，上述新的mac電腦芯片將使每臺mac電腦的生產(chǎn)成本降低75-150美元。他們說，蘋果公司可以將節(jié)省下來的成本回饋給客戶和股東。這一戰(zhàn)略源于已故蘋果聯(lián)合創(chuàng)始人喬布斯(stevejobs)倡導的蘋果哲學，即擁有可以帶來競爭勢。的芯片和傳感器可以幫助其iphone、ipad和mac在電池性能和功能上競爭。還可以保護蘋果免受購買通用零部件的競爭的影響。隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。  AD8565AKSZ AD8226ARMZ ADA4891-2ARMZ AD8221ARMZ OP1177ARMZ OP282ARMZ OP2177ARMZ MAX176AMJA/883B AS0BC21-S40BM-7H SII9244BOTR K4P2E304EQ-PGC2 K3QF2F200E-XGCB MSM8230-3AB K3PE7E700B-XXC1 K3PE7E700M-BGC2 MPU-6051M SRV25-4-T7 MT53E256M32D2DS-053AIT:B AD8052ARMZ SCV7538B1 P2S56D40BTP KLMBG4GE2A-A001 TWL6032A1BBYFFR SKY77704-4 AD7477ARTZ AD7999YRJZ-1 ADG419BRMZ ADG736LBRMZ MAX1745AUB