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這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個電流檢測電路測量正反電流，有助于設計人員縮減物料清單成本。新產品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內，進一步提高了應用靈。寬輸入電壓容差允許新產品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產品內部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護功能，器件抗擾能力強，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內工作。
這三款新產品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設計人員快速啟動使用一款器件的開發(fā)項目， 產品上市時間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
rom也有很多種，prom是可編程的rom，prom和eprom（可擦除可編程rom）兩者區(qū)別是，prom是也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產品，現(xiàn)在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種eeprom是通過電子擦出，價格，寫入時間很長，寫入很慢。手機軟件一般放在eeprom中，我們打電話，有些后撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（保存在eeprom中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。 flash存儲器又稱閃存，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可編程（eeprom）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)（nvram的勢） rom（eprom）作為它們的存儲設備，然而近年來 flash代替了rom（eprom）在嵌入式系統(tǒng)中的，用作存儲bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當硬盤使用（u盤）。目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。 3、flashTLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR