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回收指紋芯片、指紋模組
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flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，flash的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設(shè)計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。現(xiàn)在的單片機(jī),ram主要是做運(yùn)行時數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運(yùn)行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導(dǎo)體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計算機(jī)的內(nèi)存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：OPA4197IPWR TPS23861PWR TLC59116IRHBR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR
