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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電 6:電容的識別(1)、貼片電容有:貼片鉭電容、貼片瓷片容、 紙多層貼片電容、貼片電解電容。貼片瓷片電容:體積小，無 性，無絲印?；締挝籶f紙多層貼片電容:與貼片瓷片電容基本相同，材質(zhì)紙質(zhì)?；締挝?為pf,但此電容容量一般在uf級。
貼片電解電容:絲印印有容量、耐壓和 性標示。其基本單位為f。
7:電感元件的識別常見貼片元件尺寸規(guī)范介紹
在貼片元件的尺寸上為了讓所有廠家生產(chǎn)的元件之間有 的通用性，上各大廠家進行了尺寸要求的規(guī)范工作，形成了相應的尺寸系列。其中在不同采用不同的單位基準主要有公制和英制，對應關(guān)系如下表:
注:1)此處的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中還有其它尺寸規(guī)格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在實際使用中使用范圍并不廣泛所以不做介紹。
3)對于實際應用中各種對尺寸的稱呼有所不同，一般情況下使用英制單位稱呼為多，例如一般我們在工作中會說用的是0603的電容，也有時使用公制單位例如說用1608的電容此時使用的就是公制單位 。
5ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設計，v- 目前計劃中的傳輸速率進展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達到16gb容量。 而ddr4運作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機功耗。 L78L05ACD13TR STMPS2171STR UC2844BD1013TR L4931ABD50-TR LD59100PUR ST1S09IPUR LM317LD13TR MC34063EBD-TR ST1L05BPUR TSM1052 STM1061N26WX6F UC3842BD1013TR STPS6M100DEE-TR STPS20M100SG-TR STPS5H100BY-TR STPS745G-TR STPS140AY STTH2R02AFY STTH3L06S STTH2L06A STTH5L06 STTH30RQ06W STTH310RL STTH30RQ06G-TR