25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 1）1001說(shuō)的是1010^2=1k，1002說(shuō)的是1010^3=10k，1502說(shuō)的是1510^3=15k，以此類(lèi)推， 2）除了用四位數(shù)說(shuō)±1 精度的貼片電阻以外，還有用劃線的方法，來(lái)說(shuō)±1 精度的，比如：103說(shuō)的就是10k ±1 精度的貼片電阻，562說(shuō)的就是5.6k ±1 精度的貼片電阻那么，上面是絲印的一種直接讀數(shù)的方法，除此之外，還有另一種絲印代碼的方法：e-96代碼的絲印標(biāo)識(shí)方法，它的精度也是±1 ，關(guān)于這種絲印的代碼標(biāo)識(shí)，它有自己的一套計(jì)算公式，大家可以去查表，不用刻意的去記住它。這樣的標(biāo)識(shí)方法也有它的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的，作為電子來(lái)說(shuō)，只需要認(rèn)識(shí)它了解它即可。因?yàn)橹R(shí)是學(xué)不完的，不需知道怎么去研究具體怎么來(lái)的，那是廠家、標(biāo)準(zhǔn)會(huì)去思考的事情。封裝、精度與價(jià)格之間的關(guān)系對(duì)于電子來(lái)說(shuō)，一定要知道元器件的大概價(jià)格，如果你設(shè)計(jì)出來(lái)的產(chǎn)品成本，即使再秀再的板子，那么在市場(chǎng)上沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力，也是沒(méi)有實(shí)際價(jià)值的。那么，可能有的畢業(yè)的，和采購(gòu)之間相互推諉，認(rèn)為這是采購(gòu)的事，價(jià)格的事由采購(gòu)來(lái)談。其實(shí)，這中間的責(zé)任沒(méi)有那么的明確的，有時(shí)候需要相互溝通、相互協(xié)調(diào)，等你的產(chǎn)品進(jìn)入批量生產(chǎn)的時(shí)候，采購(gòu)部有他們自己的指標(biāo)，會(huì)和供應(yīng)商溝通來(lái)壓縮元器件的價(jià)格和交期的。那么一般情況下，封裝越大，價(jià)格越高。這其中還有特殊的合金貼片電阻，也會(huì)根據(jù)材料的不同，價(jià)格也有所不同，合金貼片電阻相對(duì)普通的碳膜貼片電阻貴一些。還有就是，一般情況下，精度越高，價(jià)格越高。還需要說(shuō)明的是，在特殊情況下，即使±5 精度的阻值，它的價(jià)格也可能比±1 精度的電阻價(jià)格高，這是因?yàn)樵撾娮枳柚挡皇菢?biāo)稱(chēng)值。隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開(kāi)始采用3d堆疊制程技術(shù)來(lái)增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年?yáng)|芝發(fā)表bics，2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫(xiě)入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開(kāi)始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  回收鑫華微創(chuàng)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收PANASONIC進(jìn)口IC 回收海旭封裝TO-220三極管回收NXP藍(lán)牙IC 回收英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收亞德諾BGA芯片回收芯成封裝QFN進(jìn)口芯片回收PARADE譜瑞收音IC 回收infineon邏輯IC 回收PANASONICSOP封裝IC 回收f(shuō)sc仙童全新整盤(pán)芯片回收MarvellADAS處理器芯片回收toshiba封裝QFP芯片回收SGMICRO圣邦微MOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收億盟微網(wǎng)口IC芯片回收PANASONIC進(jìn)口新年份芯片回收凌特電池充電管理芯片回收beiling進(jìn)口芯片回收瑞昱進(jìn)口IC 回收NS電源監(jiān)控IC 回收ON汽車(chē)電腦板芯片回收ti德州儀器汽車(chē)電腦板芯片回收maxim/美信隔離恒溫電源IC 回收NXP路由器交換器芯片回收HOLTEK合泰芯片回收美滿發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收MARVELL汽車(chē)主控芯片回收英飛凌集成電路芯片回收海旭進(jìn)口IC 回收東芝MOS管回收SGMICRO圣邦微路由器交換器芯片回收f(shuō)sc仙童SOP封裝IC 回收INFINEON電池充電管理芯片回收WINBOND華邦降壓恒溫芯片回收INTERSIL電源管理IC 回收INTERSIL收音IC 回收愛(ài)特梅爾開(kāi)關(guān)電源IC 回收麗晶微封裝TO-220三極管回收Marvell網(wǎng)卡芯片回收GENESIS起源微汽車(chē)電腦板芯片回收kingbriSOP封裝IC 回收LINEAR傳感器芯片回收WINBOND華邦觸摸傳感器芯片回收semiment藍(lán)牙芯片回收VincotechWIFI芯片回收MICRON/美光網(wǎng)口IC芯片回收中芯車(chē)充降壓IC 回收愛(ài)特梅爾手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收英飛凌手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收SGMICRO圣邦微隔離恒溫電源IC 回收atheros計(jì)算機(jī)芯片回收IR電源管理IC 回收瑞昱ADAS處理器芯片回收中芯封裝QFP144芯片回收羅姆邏輯IC 回收semtech電源監(jiān)控IC 回收尚途sunto集成電路芯片回收矽力杰封裝QFN進(jìn)口芯片回收f(shuō)sc仙童微控制器芯片回收瑞昱傳感器芯片回收松下藍(lán)牙芯片回收Marvell升壓IC 回收飛利浦全新整盤(pán)芯片回收NXP邏輯IC 回收semiment封裝QFP144芯片回收ON音頻IC 回收亞德諾聲卡芯片回收海旭觸摸傳感器芯片回收idesyn發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收atheros進(jìn)口新年份芯片回收羅姆微控制器芯片回收麗晶微藍(lán)牙芯片回收ON藍(lán)牙IC 回收尚途sunto穩(wěn)壓管理IC 回收愛(ài)特梅爾封裝sot23-5封裝芯片回收飛思卡爾封裝QFP芯片回收TOSHIBA封裝QFP芯片回收LINEAR音頻IC 回收松下隔離恒溫電源IC 回收beiling信號(hào)放大器回收ON全新整盤(pán)芯片回收RENESAS穩(wěn)壓器IC 回收ST意法發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收maxim/美信藍(lán)牙IC 回收idesyn封裝SOP20芯片回收f(shuō)sc仙童進(jìn)口新年份芯片回收尚途suntoMCU電源IC 回收松下全新整盤(pán)芯片回收海旭原裝整盤(pán)IC 回收SAMSUNG封裝TO-220三極管回收羅姆WIFI芯片