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flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，flash的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設(shè)計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了?，F(xiàn)在的單片機,ram主要是做運行時數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導(dǎo)體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計算機的內(nèi)存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：NCV8402ADDR2G VNH7013XPTR-E SKA-TC237LP-32F200NAC MMPF0100F0ANES TLD2331-3EP SPC560P50L3CEFAR NCV2902DTBR2G S9S12GN32BMLCR SAK-XC2365A-104F80LRAB IS45S32200L-7BLA2 ISO7741QDWRQ1 MC13892DJVL MC80F0808DP FMS6363ACSX R5S72623P144FPU LM5164DDAR SY6288CAAC AK4125VF MAX4390EUK-T MIC49300WR NCP3121MNTXG LMC7215IM5/NOPB APM32F030C8T6