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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電
這三款新放大器的雙向檢測(cè)功能允許用一個(gè)電流檢測(cè)電路測(cè)量正反電流，有助于設(shè)計(jì)人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號(hào)的器件，從而簡(jiǎn)化庫(kù)存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進(jìn)一步提高了應(yīng)用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測(cè)從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項(xiàng)參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測(cè)量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護(hù)功能，器件抗擾能力強(qiáng)，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)使用一款器件的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目， 產(chǎn)品上市時(shí)間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
東芝（toshiba）以2009年開(kāi)發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開(kāi)始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工，q3順利進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營(yíng)，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計(jì)劃于2014年q2送樣測(cè)試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí)，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。 RN5RL30AA-TR SI9183DT-AD-T1 TC2185-2.8VCTTR TCM810LENB713 TCM811SERC TPS79333DBVRG4 ADP3300ART-3 SC8800S4-349G SC8825A SC8825C SIL9011CLU TA31139BFL TLV5590EDR U87C196MC R2A15905FP RTL8306SD-GR SCH5627-NS SN65HVD3080EDGS INA203AIDGSR INA168QDBVRQ1 INA240A1PW USB1T1103MPX OPA2209AIDGKR
