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25小時在線 15889737035 可微可電 1）1001說的是1010^2=1k，1002說的是1010^3=10k，1502說的是1510^3=15k，以此類推， 2）除了用四位數說±1 精度的貼片電阻以外，還有用劃線的方法，來說±1 精度的，比如：103說的就是10k ±1 精度的貼片電阻，562說的就是5.6k ±1 精度的貼片電阻那么，上面是絲印的一種直接讀數的方法，除此之外，還有另一種絲印代碼的方法：e-96代碼的絲印標識方法，它的精度也是±1 ，關于這種絲印的代碼標識，它有自己的一套計算公式，大家可以去查表，不用刻意的去記住它。這樣的標識方法也有它的相關標準的，作為電子來說，只需要認識它了解它即可。因為知識是學不完的，不需知道怎么去研究具體怎么來的，那是廠家、標準會去思考的事情。封裝、精度與價格之間的關系對于電子來說，一定要知道元器件的大概價格，如果你設計出來的產品成本，即使再秀再的板子，那么在市場上沒有競爭力，也是沒有實際價值的。那么，可能有的畢業(yè)的，和采購之間相互推諉，認為這是采購的事，價格的事由采購來談。其實，這中間的責任沒有那么的明確的，有時候需要相互溝通、相互協調，等你的產品進入批量生產的時候，采購部有他們自己的指標，會和供應商溝通來壓縮元器件的價格和交期的。那么一般情況下，封裝越大，價格越高。這其中還有特殊的合金貼片電阻，也會根據材料的不同，價格也有所不同，合金貼片電阻相對普通的碳膜貼片電阻貴一些。還有就是，一般情況下，精度越高，價格越高。還需要說明的是，在特殊情況下，即使±5 精度的阻值，它的價格也可能比±1 精度的電阻價格高，這是因為該電阻阻值不是標稱值。flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，flash的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數據存儲器。當然用flash做數據存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構，現在已基本上停產了?，F在的單片機,ram主要是做運行時數據存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數據. 1、ram rom和ram指的都是半導體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數據，而ram通常都是在掉電之后就丟失數據，典型的ram就是計算機的內存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：MIC2211-AAYML UPD75P116CW UCC27201ADRMR SKY77704-14 SR528 TNETD5800GND200 TPS51120RHBR TPS65820RSHR UPD64015AGM-UEU UPD77P20D TC220C800TB-502(G) TY6701111184KC K4H511638F-LCB3 HD64F3062F20 IDT71024S15Y M54523FP TC7WZ32FK TPS79318DBVRQ1 SI3215-C-FM LT1761ES5-1.8 MC100LVEL11DTR2 PESD3V3L5UF NC7SZ02M5X NC7SZ05M5X BQ24070RHLR