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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問(wèn)題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而nor的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫(xiě)入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
東芝（toshiba）以2009年開(kāi)發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開(kāi)始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工，q3順利進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營(yíng)，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計(jì)劃于2014年q2送樣測(cè)試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí)，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。 回收MARVELL集成電路芯片回收RENESASBGA芯片回收億盟微路由器交換器芯片回收maxim開(kāi)關(guān)電源IC 回收英飛凌DOP封裝芯片回收中芯封裝QFP芯片回收中芯穩(wěn)壓器IC 回收beiling藍(lán)牙IC 回收TAIYO/太誘升壓IC 回收semtech封裝QFP144芯片回收松下封裝QFN進(jìn)口芯片回收INFINEONDOP封裝芯片回收瑞昱藍(lán)牙IC 回收Marvell路由器交換器芯片回收INFINEON傳感器芯片回收LINEAR電源監(jiān)控IC 回收Marvell穩(wěn)壓器IC 回收NS進(jìn)口新年份芯片回收SGMICRO圣邦微aurix芯片回收maxim觸摸傳感器芯片回收東芝汽車主控芯片回收GENESIS起源微封裝TO-220三極管回收英飛凌進(jìn)口新年份芯片回收亞德諾封裝QFP144芯片回收愛(ài)特梅爾aurix芯片回收IR音頻IC
