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是一家smt貼片加工廠家，公司坐落于廣東省深圳市，注冊資金300萬，公司無塵防靜電車間占地5000平方米，公司已通過iso9001及iso14001，rohs，ul等相關(guān)認(rèn)證，目前公司擁有多條新的進(jìn)口貼片生產(chǎn)線，和檢測設(shè)備，環(huán)保無塵生產(chǎn)車間，公司成立至今，與多家企業(yè)建立長期的合作，廣東電力士照明，江門吉華光電，江門海信集團(tuán)，鶴山倍獅科技等。
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smt元件封裝，回收電子使用放心， 回收電子科技有限公司《原廣東電子回收科技》是一家smt貼片加工廠家，公司坐落于廣東僑鄉(xiāng)江門市，注冊資金300萬，公司無塵防靜電車間占地5000平方米，公司已通過iso9001及iso14001，rohs，ul等相關(guān)認(rèn)證，目前公司擁有多條新的進(jìn)口貼片生產(chǎn)線，和檢測設(shè)備，環(huán)保無塵生產(chǎn)車間，公司成立至今，與多家企業(yè)建立長期的合作，廣東電力士照明，江門吉華光電，江門海信集團(tuán)，鶴山倍獅科技等。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測試。 回收beiling驅(qū)動(dòng)IC 回收NXP進(jìn)口新年份芯片回收尚途sunto發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收中芯觸摸傳感器芯片回收IR傳感器芯片回收瑞薩手機(jī)存儲芯片回收海旭MOS管場效應(yīng)管回收東芝SOP封裝IC 回收飛利浦計(jì)算機(jī)芯片回收VISHAY穩(wěn)壓管理IC 回收ONSOP封裝IC 回收海旭汽車主控芯片回收飛思卡爾ADAS處理器芯片回收toshiba進(jìn)口芯片回收semtechMOS管場效應(yīng)管回收ncs降壓恒溫芯片回收RENESAS計(jì)算機(jī)芯片回收intel封裝TO-220三極管回收凌特網(wǎng)卡芯片回收Xilinx進(jìn)口芯片回收INTERSIL發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收ti德州儀器降壓恒溫芯片回收麗晶微網(wǎng)卡芯片回收intel計(jì)算機(jī)芯片回收idtaurix芯片回收silergy藍(lán)牙芯片回收松下進(jìn)口新年份芯片
