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25小時在線 15889737035 可微可電 元件:工廠在加工時沒改變原材料分子成分的產品可稱為元件，元件屬于不需電子元器件要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱為被動 元件passive components) 電子的單向作用場性質在物理的范圍內失效，因為物理的點電荷概念包含了成千上萬的電子（負電）或質子（正電）。在物理中點電荷的電場是大量電子或離子的總體效應，是滿足矢量疊加的矢量場。 4性質特征編輯電子塊頭小重量輕（比μ介子還輕205倍)，被歸在亞原子粒子中的輕子類。輕子是物質被劃分的作為基本粒子的一類。電子帶有二分之一自旋，滿足費米子的條件（按照費米-狄拉克統(tǒng)計）。電子所帶電荷約為-1.6×10-19庫侖，質量為9.10×10-31kg（0.51mev/c2）。通常被說為e-。與電子電性相反的粒子被稱為正電子，它帶有與電子相同的質量，自旋和等量的正電荷。電子在原子內做繞核運動， 越大距核運動的軌跡越遠，有電子運動的空間叫電子層，層多可有2個電子。層多可以有8個， n層多可容納2n2個電子，外層多容納8個電子。后一層的電子數量決定物質的化學性質是否活潑，1、2、3電子為金屬元素，4、5、6、7為非金屬元素，8為稀有氣體元素。物質的電子可以失去也可以得到，物質具有得電子的性質叫做氧化性，該物質為氧化劑；物質具有失電子的性質叫做還原性，該物質為還原劑。物質氧化性或還原性的強弱由得失電子難易決定，與得失電子多少無關。東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術，從2014年季起開始小量試產，目標在2015年前順利銜接現有1y、1z 技術的flash產品。為了后續(xù)3d nand flash的量產鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產為主，對整個移動設備與儲存市場上的替代效應，在明年底以前應該還看不到。 STM32F756VGT6 STM32F765IIT6 STM32F765NIH7 STM32F778AIY6TR STM32L011D4P6 STM32L011E4Y6TR STM32L011F3P6TR STM32L011G4U6 STM32L011K4U6 STM32L031F6P6TR STM32L052C8T7 STM32L0538-DISCO STM32L073VBT6 STM32L100C6U6 STM32L100R8T6 STM32L100RCT6 STM32L151C6T6TR LM393PT LMV822IDT MC33078DT LF253DT LMV358IDT LM2903PT