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平頂山回收SunpLus凌陽封裝TO-220三極管

作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時間:2022-06-26 瀏覽:33

25小時在線 15889737035 可微可電 ATMEGA32A-AU
W25Q64JVSIQ
NUC029LAN
STM32F401RCT6
TPS54202DDCR
STM32F030RCT6
ATMEGA16A-AU
ATMEGA128A-AU
TPS3116D2DADR
另一種稱為動態(tài)ram(dynamic ram/dram),dram保留數(shù)據(jù)的時間很短,速度也比sram慢,不過它還是比的rom都要快,但從價格上來說dram相比sram要便宜很多,計算機內(nèi)存就是dram的。
dram
dram分為很多種,常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等,這里介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram(date-rate ram)也稱作ddr sdram,這種改進型的ram和sdram是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存,而且它有著成本勢,事實上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標準-rambus dram。在很多的顯卡上,也配備了高速ddr ram來提高帶寬,這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。micron自家市場統(tǒng)計預測指出,從2012到2016年總體nand flash容量應用的年復合成長率可達51 。2013年,美光(micron)與sk hynix兩家晶圓廠,先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲器技術,而東芝(toshiba)則在2014年直接跨入15nm制程,并推出相關nand flash存儲器芯片產(chǎn)品。  nand flash傳輸速率,從2010年onfi 2.0的133mb/s,emmc v4.41的104mb/s;到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格,傳輸速率提升到200mb/s,emmc v4.5拉高到200mb/s,ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps;2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s,ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps;預估到2015年,onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。  RN5RL30AA-TR SI9183DT-AD-T1 TC2185-2.8VCTTR TCM810LENB713 TCM811SERC TPS79333DBVRG4 ADP3300ART-3 SC8800S4-349G SC8825A SC8825C SIL9011CLU TA31139BFL TLV5590EDR U87C196MC R2A15905FP RTL8306SD-GR SCH5627-NS SN65HVD3080EDGS INA203AIDGSR INA168QDBVRQ1 INA240A1PW USB1T1103MPX OPA2209AIDGKR

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