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25小時在線 15889737035 可微可電 6:電容的識別(1)、貼片電容有:貼片鉭電容、貼片瓷片容、 紙多層貼片電容、貼片電解電容。貼片瓷片電容:體積小，無 性，無絲印?；締挝籶f紙多層貼片電容:與貼片瓷片電容基本相同，材質(zhì)紙質(zhì)?；締挝?為pf,但此電容容量一般在uf級。
貼片電解電容:絲印印有容量、耐壓和 性標示。其基本單位為f。
7:電感元件的識別常見貼片元件尺寸規(guī)范介紹
在貼片元件的尺寸上為了讓所有廠家生產(chǎn)的元件之間有 的通用性，上各大廠家進行了尺寸要求的規(guī)范工作，形成了相應的尺寸系列。其中在不同采用不同的單位基準主要有公制和英制，對應關(guān)系如下表:
注:1)此處的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中還有其它尺寸規(guī)格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在實際使用中使用范圍并不廣泛所以不做介紹。
3)對于實際應用中各種對尺寸的稱呼有所不同，一般情況下使用英制單位稱呼為多，例如一般我們在工作中會說用的是0603的電容，也有時使用公制單位例如說用1608的電容此時使用的就是公制單位 。
5micron自家市場統(tǒng)計預測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應用的年復合成長率可達51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲器芯片產(chǎn)品。 nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。 ULN2004D1013TR M95M01-RMN6TP LMV358IDT LM2903PT LM217MDT-TR LD3985M33R LD1086D2M33TR BAR43SFILM TDA7377 STM32F051K8T6TR STM32F103ZET6 STM32L100R8T6ATR STM32F437ZIT7 STM32F446VET6TR STM32F446ZCT6 STM32F446ZET6 STM32F722IEK6 STM32F723IET6 STM32F7308-DK STM32F745VGH6 STM32F745ZGT6 STM32F746IGT6