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MP40N120-ASEMI高頻變換器IGBT
型號：MP40N120
品牌：ASEMI
封裝：TO-247
電流：40A
電壓：1200V
正向電壓：1.10V
恢復(fù)時間：
引腳數(shù)量：3
芯片個數(shù)：
芯片尺寸：
漏電流：
特性：IGBT管
工作溫度：-55~+150℃
MP40N120溝槽柵場截止型IGBT
IGBT定義
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
