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深圳回收射頻微控制器 封裝VQFN48芯片回收 181+2470一起1558 微芯同號(hào) v- flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前 先執(zhí)行擦除。nand器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而nor則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。
由于擦除nor器件時(shí)是以64～128kb的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反,擦除nand器件是以8～32kb的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作多只需要4ms。
執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了nor和nadn之間的性能差距,統(tǒng)計(jì)表明,對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí)), 的擦除操作 在基于nor的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí), 權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。
● nor的讀速度比nand稍快一些。
● nand的寫入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度遠(yuǎn)比nor的5s快。
● 大多數(shù)寫入操作需要行擦除操作。
● nand的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
性
采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
