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深圳回收TI德州儀器全新射頻微控制器 181+2470一起1558 微芯同號(hào) v- nor flash帶有sram接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。
nand器件使用復(fù)雜的i/o口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)。
nand讀和寫(xiě)操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤(pán)管理此類(lèi)操作,很自然地,基于nand的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤(pán)或其他塊設(shè)備。
容量成本
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,nand結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
nor flash占據(jù)了容量為1～16mb閃存市場(chǎng)的大部分,而nand flash只是用在8～128mb的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說(shuō)明nor主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,nand適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額大。
位交換
所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn),nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。
當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就 采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(edc/ecc)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題 見(jiàn)于nand閃存,nand的供應(yīng)商建議使用nand閃存的時(shí)候,同時(shí)使用edc/ecc算法。
