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深圳回收TI德州儀器全新射頻微控制器 181+2470一起1558 微芯同號 v- nor flash帶有sram接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。
nand器件使用復雜的i/o口來串行地存取數(shù)據(jù),各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)。
nand讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點有點像硬盤管理此類操作,很自然地,基于nand的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。
容量成本
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半,由于生產(chǎn)過程更為簡單,nand結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應地降低了價格。
nor flash占據(jù)了容量為1～16mb閃存市場的大部分,而nand flash只是用在8～128mb的產(chǎn)品當中,這也說明nor主要應用在代碼存儲介質(zhì)中,nand適合于數(shù)據(jù)存儲,nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc存儲卡市場上所占份額大。
位交換
所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上,這個小小的故障可能導致系統(tǒng)停機。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。
當然,如果這個位真的改變了,就 采用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)算法。位反轉(zhuǎn)的問題 見于nand閃存,nand的供應商建議使用nand閃存的時候,同時使用edc/ecc算法。