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回收kingbriMOS管場(chǎng)效應(yīng)管 181+2470一起1558 微芯同號(hào) ddr4以前瞻性的高傳輸速率、v- 低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導(dǎo)入英特爾工作站／伺服器以及桌上型電腦平臺(tái)，并與lp-ddr3存儲(chǔ)器將同時(shí)存在一段時(shí)間；至于nand flash快閃存儲(chǔ)器也跨入1x 制程，mlc將以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹寫次數(shù)（program erase；p/e）來(lái)?yè)屨家竽褪芏鹊能姺脚c工控市場(chǎng)，而c/p值高的tlc從隨碟、記憶卡的應(yīng)用導(dǎo)向低端ssd…
ddr4伺服器先行 2016ddr3成為主流
處理器（cpu）、繪圖芯片（gpu）運(yùn)算效能隨摩爾定律而飛快進(jìn)展，加上云端運(yùn)算、網(wǎng)際網(wǎng)路行動(dòng)化浪潮下，持續(xù)驅(qū)動(dòng)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（dynamic ram；dram）的規(guī)格進(jìn)化。從非同步的dip、edo dram，到邁向同步時(shí)脈操作的sdram開始，以及訊號(hào)上下緣觸發(fā)的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存儲(chǔ)器，甚至導(dǎo)入20 與新型態(tài)的wide i/o介面以降低訊號(hào)腳位數(shù)與整體功耗。
處理器速度與云端運(yùn)算持續(xù)驅(qū)動(dòng)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器規(guī)格的演變，從dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel
