全國回收HOLTEK(合泰)藍(lán)牙IC 181-2470 同上1558 微芯同號(hào) 例如,顆粒妨礙離子植人或光刻圖案的正常。在刻蝕時(shí),顆粒阻斷光刻圖案向膜層圖案的轉(zhuǎn)移;在制程的后段部分(金屬內(nèi)連接),顆粒能引起導(dǎo)線的斷開和臨線的導(dǎo)通。當(dāng)集成電路制造的線寬微縮到40nm以下,很小尺寸的顆粒都會(huì)導(dǎo)致IC的失敗,小顆粒尺寸的要求仰仗于顆粒所處的區(qū)域和該區(qū)域的器件特征尺寸。
如受金屬污染的柵氧化層,漏電流會(huì)增大,良率降低污染的膜層在酸槽中刻蝕,會(huì)二次污染酸槽;污染的膜層也有可能直接或分解成有害副產(chǎn)物阻止下一個(gè)沉積膜對(duì)晶片的很好粘附,造成脫落;甚至在無氧環(huán)境下加熱,有機(jī)膜殘?jiān)蓟?或?qū)⑴c硅反應(yīng)在晶片L形成化硅(SiC)缺陷區(qū)。