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12N65-ASEMI高壓MOS管12A 650V
型號(hào)：12N65
品牌：ASEMII
封裝：TO-220F/TO-220AC/TO-262/TO-247
電性參數(shù)：12A 650V
正向電流：12A
反向耐壓：650V
引腳數(shù)量：3
芯片個(gè)數(shù)：1
芯片尺寸：
封裝尺寸：如圖
特性：高壓MOS管
浪涌電流：
工作溫度：-55~+150℃
產(chǎn)品描述
12N65高壓MOS管，MOS管:金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管屬于絕緣柵型。
什么是MOS管
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。
1、MOS管的構(gòu)造
在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。
