回收鎂光閃存 回收美光內(nèi)存 回收美光DDR  181-2470

                                               同上 -1558  

  flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，flash的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設(shè)計(jì)會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計(jì)往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
現(xiàn)在的單片機(jī),ram主要是做運(yùn)行時數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運(yùn)行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù).
1、ram
rom和ram指的都是半導(dǎo)體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
sram和dram區(qū)別ram有兩大類：
一種稱為靜態(tài)ram（static ram/sram），sram速度非?？?，是目前讀寫快的存儲設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的緩沖，二級緩沖。
另一種稱為動態(tài)ram（dynamic ram/dram），dram保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從價格上來說dram相比sram要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是dram的。
dram
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這里介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進(jìn)型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存，而且它有著成本勢，事實(shí)上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。
2、rom
rom也有很多種，prom是可編程的rom，prom和eprom（可擦除可編程rom）兩者區(qū)別是，prom是也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種eeprom是通過電子擦出，價格，寫入時間很長，寫入很慢。
手機(jī)軟件一般放在eeprom中，我們打電話，有些后撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（保存在eeprom中），因?yàn)楫?dāng)時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。
flash存儲器又稱閃存，它結(jié)合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可編程（eeprom）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)（nvram的勢）
rom（eprom）作為它們的存儲設(shè)備，然而近年來 flash代替了rom（eprom）在嵌入式系統(tǒng)中的，用作存儲bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（u盤）。
目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。
3、flash
nor flash
nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在nor flash里面的代碼，這樣可以減少sram的容量從而節(jié)約了成本。（一般程序運(yùn)行需要將程序從eprom中讀取到ram中然后運(yùn)行，但是nor flash可以直接讀取運(yùn)行。）
nor flash帶有sram接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。nor flash占據(jù)了容量為1～16mb閃存市場的大部分。
nand flash
nand flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512個字節(jié)，采用這種技術(shù)的flash比較廉價。用戶不能直接運(yùn)行nand flash上的代碼，因此好多使用nand flash的開發(fā)板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來運(yùn)行啟動代碼。
  nand結(jié)構(gòu)能提供 高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用nand的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。
一般小容量的用nor flash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲操作系統(tǒng)等重要，而大容量的用nand flash。