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深圳現(xiàn)金回收IC 回收驅(qū)動(dòng)IC 181-2470
同上-1558同步
flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前 先執(zhí)行擦除。nand器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而nor則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。
由于擦除nor器件時(shí)是以64～128kb的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反,擦除nand器件是以8～32kb的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作多只需要4ms。
執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了nor和nadn之間的性能差距,統(tǒng)計(jì)表明,對(duì)于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí)), 的擦除操作 在基于nor的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí),*** 權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。
● nor的讀速度比nand稍快一些。
● nand的寫入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度遠(yuǎn)比nor的5s快。
● 大多數(shù)寫入操作需要***行擦除操作。
● nand的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
