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25N120-ASEMI(MOS管)大功率場(chǎng)效應(yīng)管?

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時(shí)間:2020-11-13 瀏覽:221
25N120-ASEMI(MOS管)大功率場(chǎng)效應(yīng)管?

編輯:LL

ASEMI品牌 25N120 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 插件封裝 MOSFET

型號(hào):25N120

封裝:TO-247/3P

漏極電流(VDS):25A

漏源電壓(ID):1200V

工作溫度:-55℃~150℃

種類:場(chǎng)效應(yīng)晶體管/MOSFET

品牌:ASEMI

市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。


鄭重聲明:資訊 【25N120-ASEMI(MOS管)大功率場(chǎng)效應(yīng)管?】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.5ix2s.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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