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DB207S橋堆ASEMI大芯片小方橋
型號(hào)：DB207S
品牌：ASEMI
封裝：DBS-4
電性參數(shù)：2A 50V~1000V
正向電流：2A
反向耐壓：1000V
芯片個(gè)數(shù)：4
芯片材質(zhì)：GPP
芯片大小：60MIL
浪涌電流：60A
工作溫度：-55~150°C
恢復(fù)時(shí)間：500ns
漏電流：5uA
特性：小方橋、貼片整流橋
整流橋DB207S的結(jié)構(gòu)
整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，DB207S也不例外。兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱性能。
隔離式開(kāi)關(guān)電源一般采用由整流管構(gòu)成的整流橋，亦可直接選用成品整流橋，完成橋式整流。全波橋式整流器簡(jiǎn)稱硅整流橋，它是將四只硅整流管接成橋路形式，再用塑料封裝而成的半導(dǎo)體器件。它具有體積小、使用方便、各整流管的參數(shù)一致性好等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于開(kāi)關(guān)電源的整流電路。硅整流橋有4個(gè)引出端，其中交流輸入端、直流輸出端各兩個(gè)。
硅整流橋的大整流電流平均值分0.5～40A等多種規(guī)格，高反向工作電壓有50～1000V等多種規(guī)格。小功率硅整流橋可直接焊在印刷板上，大、中功率硅整流橋則要用螺釘固定，并且需安裝合適的散熱器。所以整流橋的參數(shù)選擇很重要，選不好還有可能會(huì)造成炸機(jī)的危險(xiǎn)哦。
