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?TT8M-ASEMI_65W?氮化鎵快充貼片橋堆

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時(shí)間:2020-08-17 瀏覽:225
?TT8M-ASEMI_65W?氮化鎵快充貼片橋堆

TT8M-ASEMI_65W氮化鎵快充貼片橋堆-ll

型號(hào):TT8M

封裝:TMBF

電流:8A

電壓:1000V

特性:小貼片整流橋

應(yīng)用范圍:小功率開關(guān)電源,充電器,電源適配器,LED燈整流器等相關(guān)電器產(chǎn)品。

相比傳統(tǒng)充電器,它有哪些優(yōu)勢(shì)?

充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多,這意味著它可以隨時(shí)間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片,從而可以更快地進(jìn)行處理,充電更快。


鄭重聲明:資訊 【?TT8M-ASEMI_65W?氮化鎵快充貼片橋堆】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫(kù)www.5ix2s.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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